我国成功研发出新型电力电子芯片  

出　　处：《军民两用技术与产品》2011年第12期23-23,共1页Dual Use Technologies & Products

摘　　要：由江苏宏微科技有限公司自主研发的大功率超快速软恢复外延型二极管（FRED）芯片和1200V／1700V大功率绝缘栅双极晶体管（IGBT）芯片，顺利通过了有关专家组鉴定。专家组一致认为，该公司自主研制的非穿通型（NPT）IGBT芯片和FRED芯片，主要性能指标均达到国际先进水平，其中，1200VIGBT芯片的主要性能指标超过了国际同类产品的先进水平。

关 键 词：电子芯片 自主研发 绝缘栅双极晶体管 电力 性能指标 FRED 非穿通型 自主研制 

分 类 号：TN4[电子电信—微电子学与固体电子学]