控制氧化物纳米晶特性制备高电介质膜  

出　　处：《金属功能材料》2011年第6期72-72,共1页Metallic Functional Materials

摘　　要：日本物质材料研究所开发了能任意控制氧化物纳米晶结构和特性的新技术，制作成功厚度1nm的高电介质膜。较比传统高电介质膜的厚度减薄了98％，这有利于容量提高百倍以上的大容量高性能薄膜电容器元件的开发。可望应用于便携式电话机、个人电脑等小型高功能电器等方面。

关 键 词：纳米晶结构 电介质膜 氧化物 特性 控制 日本物质材料研究所 制备 电容器元件 

分 类 号：TQ133.1[化学工程—无机化工]