ZnO基稀磁半导体薄膜性能研究进展  

作　　者：南貌[1] 吕小龙[2] 

机构地区：[1]宝鸡职业技术学院电子信息工程系,陕西宝鸡721013 [2]宝鸡技师学院,陕西宝鸡721000

出　　处：《科技信息》2011年第35期183-183,234,共2页Science & Technology Information

摘　　要：目前研究磁性半导体的主要方法是对半导体进行过渡金属元素(Mn,Co,Fe)掺杂,使之具备半导体和磁性材料的综合特性,在材料科学和未来自旋电子器件领域具有广阔的应用前景。本文对近几年来过渡金属离子掺杂的ZnO薄膜材料磁性能的研究进展作一综述。

关 键 词：ZNO薄膜 过渡金属 稀磁半导体 掺杂 

分 类 号：TN304.7[电子电信—物理电子学]