我国单壁B－C－N纳米管研究又获新进展  

机构地区：[1]中科院物理研究所

出　　处：《功能材料信息》2011年第6期39-39,共1页Functional Materials Information

摘　　要：最近，中科院物理研究所白雪冬研究组的王文龙副研究员和博士生杨晓霞等人在单壁B—C—N纳米管研究方面又取得了新进展。三元B-C—N纳米管的合成有两个基本途径：直接生长法与碳纳米管取代反应法。直接生长法是指把B、C、N三种元素的前驱物同时引入生长环境，在纳米管生长的同时实现对其B、N掺杂，CVD方法便是直接生长法的一种。而所谓取代反应法则是以预先合成好的碳纳米管作为母体，在高温下使之与合适的含B和N的化合物之间发生化学取代反应，当碳纳米管晶格中的部分C原子被B、N原子所取代掺杂后，便得到三元B—c—N纳米管。纳米管取代反应法在原理上是一种能大量制备三元B—C—N纳米管的方法，曾经在B—C—N多壁纳米管的合成方面取得较好的结果，但是对单壁纳米管却一直难以奏效。

关 键 词：单壁纳米管 碳纳米管 B-C-N 取代反应 物理研究所 多壁纳米管 生长法 生长环境 

分 类 号：TB383[一般工业技术—材料科学与工程]