悬浮区域熔炼法制备REB6(LaB6、CeB6)单晶体及其表征  

Floating zone growth and characterization of single crystal REB_6(LaB_6,CeB_6)cathode

作　　者：张宁[1] 张久兴[1] 包黎红[1] 李晓娜[1] 

机构地区：[1]北京工业大学材料科学与工程学院,新型功能材料教育部重点实验室,北京100124

出　　处：《功能材料》2012年第2期178-180,184,共4页Journal of Functional Materials

基　　金：国家自然科学基金资助项目(50871002)

摘　　要：采用区域熔炼法成功制备出了高质量、高纯度、大尺寸的LaB6、CeB6单晶体。系统分析了制备过程中每个参数对晶体生长的影响,确定了晶体成长最佳工艺:(1)LaB6:转速为30r/min,生长速度为8～10mm/h,两次区熔;(2)CeB6:转速为30r/min,生长速度15～20mm/h,一次区熔。然后对晶体进行表征,主要方法有单晶衍射、断面扫描、拉曼衍射、摇摆曲线。由此可知悬浮区域熔炼法是制备高质量、高纯度、大尺寸REB6的最佳方法。The high quality,high purity and large size LaB6,CeB6 single crystals had been successfully grown by optical floating zone method.Each parameter which impact in the process of crystal growth was studied in this article.We determine the optimum crystal growth：（1） LaB6： speed of 30r/min,the growth rate of 8-10mm/h,twice zone melting;（2） CeB6： speed of 30r/min,the growth rate of 15-20mm/h,once zone melting.And then analysis the characterizations of single crystals.We use the main method,and they are single crystal diffraction,Raman diffraction,rocking curve,cross-section scanning.These show that floating zone growth is the best method in the produced single crystal REB6（LaB6,CeB6） cathode.

关 键 词：悬浮区域熔炼 单晶LaB6 单晶CeB6 表征 

分 类 号：TB34[一般工业技术—材料科学与工程]