钍钨阴极碳化室结构的研究  

作　　者：姚士彬 

机构地区：[1]四四○一厂

出　　处：《真空电子技术》1990年第6期30-34,11,共6页Vacuum Electronics

摘　　要：本文指出碳化钍钨阴极可采用特殊结构的小型碳化室。并从试验数据及数据分析指出该碳化室的优越性。按传热学原理提出这种碳化室有效地减少了阴极的热辐射损失和对流热损失,从而提高了阴极温度分布均匀性,并提出改善W_2C结构的看法。

关 键 词：钍钨阴极 碳化室 结构 

分 类 号：TN103[电子电信—物理电子学]