一种改进的基于BCD工艺的UVLO设计  

作　　者：余清华[1] 侯晋昭[1] 代杰[1] 

机构地区：[1]电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室

出　　处：《电子世界》2011年第12期43-45,共3页Electronics World

摘　　要：基于CSMC 0.5 BCD工艺,设计了一种改进型无需基准电压源的欠压锁定(UVLO)电路。该欠压锁定电路在传统带隙比较器的基础上,引入高阶温度补偿和正反馈机制,使得该欠压锁定电路结构简单、温漂小、速度快、迟滞效果好、稳定性高。使用cadence spectre仿真,得到带隙比较器产生的带隙电压为1.183V,且在-60～160℃的温度范围内,温度系数仅为11.1ppm/℃,进而得到迟滞区间为1.56V,最大温度偏差不超过0.12V。另一方面,正反馈机制克服了传统带隙比较器两边镜像电流与采样电压变化方向一致的缺点,实现了UVLO输出电平迅速、稳定的转换。

关 键 词：带隙比较器 温度高阶补偿 正反馈 迟滞 

分 类 号：TN624[电子电信—电路与系统]