SOI纳米线波导导光机理的物理分析  

The physics of silicon-on-insulator nanowire waveguides

作　　者：李运涛[1] 徐学俊[1,2] 黄庆忠[1,3] 俞育德[1] 余金中[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室,北京100083 [2]东京都市大学综合研究所硅纳米科学研究中心,日本东京158-0082 [3]华中科技大学武汉光电国家实验室(筹),武汉430074

出　　处：《物理》2012年第2期107-109,共3页Physics

基　　金：国家重点基础研究发展计划(批准号:2006CB302803;2011CB301701);国家自然科学基金青年基金(批准号:61007033)资助项目

摘　　要：SOI(silicon-on-insulator)纳米线波导及其器件是近年来光电子学领域研究的重点内容之一.文章从基本的导波光学理论出发,引入古斯-汉森位移理论,对SOI纳米线波导导光的物理机制进行了分析并给出了物理解释和模拟结果.Nanowire waveguides and devices have become a key point of optoelectronics in recent years. In this paper, the physics of silion-on-insulator nanowire waveguides is analyzed and explained based on the Goos--Hanchen displacement theory. Simulation results are also presented.

关 键 词：绝缘体上的硅 纳米线波导 古斯-汉森位移 

分 类 号：TN252[电子电信—物理电子学]