SmCo_5硬磁薄膜的制备研究  

Preparations and Studies of the SmCo_5 Hard Magnetic Films

作　　者：雷勇[1] 代波[1] 邵晓萍[1] 

机构地区：[1]西南科技大学材料科学与工程学院,四川绵阳621000

出　　处：《四川师范大学学报（自然科学版）》2012年第1期105-108,共4页Journal of Sichuan Normal University（Natural Science）

基　　金：国家自然科学基金(10704061)资助项目

摘　　要：以Cr层为底层和保护层,采用直流共溅射的方法在Si基片上制备了Cr(80 nm)/SmCo5(300nm)/Cr(8 nm)薄膜,并对样品进行550℃保温30 min的退火,然后分别利用EDX射线能谱仪、X射线衍射仪、原子力显微镜、振动样品磁强计分析研究了退火前后SmCo5薄膜样品的成分、结构、表面形貌、磁学性能及其变化规律.结果表明:在10-4Pa真空环境下,SmCo5薄膜在550℃退火,保温30 min后具有较好的硬磁性能,矫顽力Hc为1 738 Oe.With the Cr layer as an underlayer and a caplayer,SmCo5 thin films were prepared on the silicon in DC co-sputtering,which had been annealed at different temperatures.Then the samples＇ structures,compositions,and magnetic properties were characterized.The results show that after being annealed at 550 ℃ for 30 min the samples had preferable hard magnetic properties and the coercively about 1 738 Oe.

关 键 词：SmCo5薄膜 共溅射 退火温度 矫顽力 

分 类 号：TM273[一般工业技术—材料科学与工程] TB43[电气工程—电工理论与新技术]