稀氮 Ⅲ-Ⅴ族InAsN和InSbN中长波红外光电材料与器件  

Novel Dilute Ⅲ-ⅤInAsN and InSbN Medium-long Wave Infrared Photoelectric Materials and Devices

作　　者：邱锋[1] 胡淑红[1] 孙常鸿[1] 吕英飞[1] 王奇伟[1] 孙艳[1] 邓惠勇[1] 戴宁[1] 

机构地区：[1]中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海200083

出　　处：《红外》2012年第2期1-7,共7页Infrared

基　　金：国家重点基础研究"973"计划项目(2011CBA00900;2012CB93430;2010CB93370);国家自然科学基金项目(10804117);上海市创新专项基金项目(11DZ1140500);中国科学院知识创新工程项目(KGCX2-YW-350)

摘　　要：将少量氮原子加入Ⅲ—Ⅴ族半导体后可引起能带减小,因此这种方法可以用来实现能带结构裁剪。这种新型稀氮化物显示出了奇特的物理性质,并且具有应用于新型光电器件的潜力。特别是,备受关注的稀氮InAsN和InSbN在中长波红外光电材料上具有巨大的应用价值,并将在中长波红外器件应用领域发挥重要的作用。Incorporation of a few nitrogen atoms into aⅢ-Ⅴsemiconductor material can result in abnormal band bending.Therefore,this method can be used to tailor the band structure of the semiconductor. This novel dilute nitride has presented its peculiar physical properties and has a great potential for the application in novel photoelectric devices.Particularly,the new dilute InAsN and InSbN materials are of great value to the medium wavelength and long wavelength infrared photoelectric materials and will play important roles in the infrared device applications.

关 键 词：稀氮Ⅲ-Ⅴ族半导体 InAsN InSbN 中长波红外器件 

分 类 号：TN213[电子电信—物理电子学]