基于晶体塑性理论的孔洞生长行为研究  

VOID GROWTH BEHAVIOR SIMULATION BASED ON CRYSTAL PLASTICITY

作　　者：杨梅[1] 董湘怀[2] 杜继涛[1] 李河宗[2] 

机构地区：[1]上海工程技术大学高等职业技术学院,上海200437 [2]上海交通大学塑性成形工程系,上海200030

出　　处：《固体力学学报》2012年第1期17-25,共9页Chinese Journal of Solid Mechanics

基　　金：上海高校选拔培养优秀青年教师科研专项基金(gjd10028)资助

摘　　要：采用率相关晶体塑性模型,建立三维胞元计算模型,研究了晶粒取向和晶界对孔洞生长和聚合的影响.比较了不同晶粒取向的单晶和双晶体中孔洞的生长趋势,发现晶粒取向对孔洞生长方向,孔洞形状等有着显著的影响.A rate-dependent Crystal Plasticity Model has been used to establish a 3D Unit Cell Model,which is applied to study the effect of lattice orientation and grain boundary on the void growth and coalescence.By comparing the growth tendency of void in different orientations for single crystal and bicrystals,it is found that lattice orientation has noticeable influences on the void growth direction and void shape.

关 键 词：晶体塑性 孔洞生长 晶粒取向 

分 类 号：O782[理学—晶体学]