LaAlO_3顶层对Pb(Zr,Ti)O_3薄膜微结构和性能的影响  

Effect of LaAlO_3 Cap Layer on Microstructure and Properties of Pb(Zr,Ti)O_3 Films

作　　者：郝兰众[1,2] 刘云杰[1] 朱俊[2] 张鹰[2] 

机构地区：[1]中国石油大学(华东)物理科学与技术学院,东营257061 [2]电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都610054

出　　处：《材料导报》2012年第4期36-38,共3页Materials Reports

基　　金：国家自然科学基金(50932002);山东省自然科学基金(ZR2010Q017)

摘　　要：利用脉冲激光沉积(PLD)法,在LaAlO3(LAO)基片上外延生长了高质量的PbZr0.52Ti0.48O3(PZT)薄膜。通过增加10nm厚的LAO顶层,所制备PZT薄膜的铁电剩余极化(Pr)由28.8μC/cm2增加为55.1μC/cm2。通过对微结构分析,表明薄膜电学性能的增强主要来源于LAO顶层对PZT薄膜表面形貌的优化。另外,与Pr不同,随LAO顶层厚度的增加,PZT薄膜的矫顽场单调增加。PbZr0,52Ti0.4803 films（PZT） were grown epitaxially on LaAIO3 （LAO） substrates using pulse laser deposition. When 10-nm-thick LAO cap layer was used, the remnant polarization（Pr） of the PZT film increased from 28. 8μC/cm2 to 55. 1μC/cme. This could be attributed to the improvement of the surface morphology of the PZT film by the introduction of LAO cap layer. In addition, the thickness of PZT film increased with the increase of the thickness of LAO cap layer, which was different with Pr.

关 键 词：顶层 铁电极化 漏电流 

分 类 号：TB34[一般工业技术—材料科学与工程]