SiC陶瓷基片的烧结工艺与SiC_p/Al复合材料的制备方法  

Sintering Technologies of SiC Ceramic Substrate and Preparation Methods of SiC_p/Al Composites

作　　者：王志勇[1] 彭超群[1] 王日初[1] 王小锋[1] 李婷婷[1] 刘兵[1] 

机构地区：[1]中南大学材料科学与工程学院,长沙410083

出　　处：《材料导报》2012年第5期36-39,共4页Materials Reports

基　　金：国家民口配套科研项目(MKPT-03-182)

摘　　要：概述了电子封装基片材料的基本性能要求;讨论了SiC陶瓷基片常用的4种烧结工艺,即常压烧结、热压烧结、反应烧结和放电等离子烧结;介绍了SiCp/Al复合材料的制备方法,即搅拌铸造法、无压渗透法、喷射沉积法、粉末冶金法;据此进一步提出了SiC陶瓷基片材料的发展方向。The elemental requirements for electronic packaging substrate materials are introduced. Four sinte- ring technologies are analyzed, i.e. pressureless sintering, hot press sintering, reacted sintering and spark plasma sin- tering. The preparation methods of SiCp/A1 composites are described, i.e. stir casting method, pressureless infiltra- tion method, spray deposition method, powder metallurgy method. Future trends are put forward accordingly.

关 键 词：SiC热导率 烧结工艺 SICP/AL复合材料 

分 类 号：TB333[一般工业技术—材料科学与工程]