ZnO含量对熔融法制备PbSe量子点玻璃的影响  

Effect of ZnO Content on PbSe Quantum Dots Synthesized by a Melting Method

作　　者：张艳妮[1] 程成[1] 马德伟[1] 

机构地区：[1]浙江工业大学激光与光电子技术研究所,浙江杭州310023

出　　处：《纳米科技》2011年第5期24-27,共4页

基　　金：国家自然科学基金（60777049）和浙江省自然科学基金（Z407371）资助课题

摘　　要：采用高温熔融－退火法在钠硼铝硅酸盐（SiO2-B2O3-Na2O-Al2O3-ZnO-AIF3-Na2O）玻璃中生长了PbSe量子点，通过X射线衍射（XRD）、透射电镜（TEM）、光致荧光（PL）谱等研究了玻璃配料中不同ZnO含量对PbSe量子点尺寸和浓度的影响，结果表明，ZnO含量占总玻璃配料质量比约9．4％时，生成的量子点尺寸比较均匀，直径约为6．5nm，且浓度较高，PL谱强度最强，辐射峰位于1790nm，FWHM为296nm。玻璃配料中加入适量的ZnO有助于PbSe量子点的形成，减少Se元素的挥发，使玻璃中的量子点尺寸分布趋于均-化。The sodium-aluminum-borosilicate glass （SiO2-B2O3-Na2O-Al2O3-ZnO-AIF3-Na2O）containing PbSe quantum dots （QDs） was synthesized by high-temperature melting method. Effect of ZnO content in the hatching glass on the size and concentration of PbSe QDs was investigated by X-ray diffraction （XRD）, transmission electron microscope （TEM）,and absorption-photoluminescence （PL） spectra. It was shown that upon the condition of the mass ratio （ZnO： total hatching） of 9.4%, the QDs synthesized in the glass were in uniform distribution, the diameter was 6.5-nm, the concentration was high（-1%）, and enhanced PL intensity peaking at 1790nm and widened FWHM of 296nm. Adding ZnO into the batching glass was advantageous for forming PbSe QDs in the glass batch, decreasing volatilization of Se, and making the size to be well-distributed.

关 键 词：熔融法 氧化锌(ZnO) 硒化铅(PbSe)量子点 

分 类 号：TN304.5[电子电信—物理电子学]