CMOS带隙基准源温度补偿的研究  

作　　者：毕长红[1] 杨雪[1] 

机构地区：[1]电子科技大学微电子与固体电子学院,四川成都610054

出　　处：《电子元器件应用》2012年第2期34-36,52,共4页Electronic Component & Device Applications

摘　　要：在模拟和混合集成电路中,CMOS带隙基准源是应用广泛的重要单元,针对温度补偿对基准源性能的影响,本文从介绍CMOS带隙基准源的基本原理出发,分析了一阶补偿、二阶补偿以及更高阶补偿的CMOS带隙基准电路结构。

关 键 词：温度补偿 带隙基准源 精度 

分 类 号：TN432[电子电信—微电子学与固体电子学]