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作 者:陈婷婷[1] 王广宁[1] 黄东亮[1] 郎颖[1] 张锷[1]
机构地区:[1]哈尔滨师范大学物理与电子工程学院,低维体系与介观物理黑龙江省高校重点实验室,哈尔滨150025
出 处:《人工晶体学报》2012年第1期110-114,共5页Journal of Synthetic Crystals
摘 要:通过化学气相沉积方法成功合成了InAlO3(ZnO)15超晶格纳米串。扫描电镜观察到InAlO3(ZnO)15纳米片沿生长方向均匀排列,直径约为80~150 nm,长度约为7~20μm。X射线衍射结果表明样品具有InAlO3(ZnO)15超晶格纳米结构。高分辨透射电子显微镜显示相邻两个In-O层中间共16层In(Al)O(ZnO)m+block,并研究了其生长机制。在0.6~3 V电压范围内,I-V特性曲线出现非线性性质。InAlO3(ZnO)15 superlattice nanobunches were successfully synthesized by a simple chemical vapor deposition method.Scanning electron microscopy observations showed that InAlO3(ZnO)15 superlattice platelets regularly arrayed along the direction of growth.Their diameter and length were 80-150 nm and 7-20 μm,respectively.XRD data confirm that nanobunches have wurtzite InAlO3(ZnO)15 superlattice structure.The HRTEM image shows a better periodical superlattice structure with exactly 16 In(Al)O(ZnO)+m block between the two adjacent In-O layers.A possible growth mechanism has been discussed and a nonlinear I-V characteristic is found in a voltage span of 0.6-3 V.
关 键 词:InAlO3(ZnO)15 化学气相沉积法 电学性质
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