硅振荡器特性分析研究  

Characteristic analysis of silicon oscillator

作　　者：张娟娟[1] 张丕状[1] 

机构地区：[1]中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室,山西太原030051

出　　处：《电子测试》2012年第3期46-48,共3页Electronic Test

摘　　要：为了研究硅振荡器的特性,本文采用硅振荡器和传统石英晶振的对比实验来研究,通过对石英晶振的特性比较全面的把握,利用石英晶振的频率值精度高、温漂小、抖动不明显的特征,来研究硅振荡器的实际频率值、温漂和抖动特性,所采用的方法是使用鉴相器的频率合成方法来比对得出硅振荡器的特性参数,其中选用MAX7375硅振荡器和KSS石英晶振通过温度的变化以及抖动的测试完成硅振荡器的初步特性分析,方便为后期使用硅振荡器来校准晶振做基础性研究。In order to determine the characteristics of silicon oscillator, the experiments had been performed with comparing the silicon oscillator and crystal oscillator, using the factor of frequency synthesis of Phase Detectors（PD） to measure the parameters of the crystal oscillator. Choosing the types of chip： MAX7375 and KSS crystal , through the tests of changing the temperature and the test of jitter, finishing the initial analysis of silicon oscillator. Then made the basic study of the crystal calibration with silicon oscillator.

关 键 词：鉴相器 频率合成 温漂 抖动 

分 类 号：TN752[电子电信—电路与系统]