水滑石晶体生长机理  

The growth mechanism of hydrotalcite crystal

作　　者：吴健松[1] 肖应凯[2] 汪剑宇[1] 文丽容[1] 

机构地区：[1]湛江师范学院化学科学与技术学院,湛江524048 [2]中国科学院青海盐湖研究所,中国科学院盐湖资源与化学重点实验室,西宁810008

出　　处：《中国科学：技术科学》2012年第4期486-492,共7页Scientia Sinica(Technologica)

基　　金：国家自然科学基金(批准号:40776071)资助项目

摘　　要：从"生长基元"角度出发,研究了水滑石晶体生长机理,结果表明水滑石生长形态符合负离子配位多面体生长模型.采用Raman光谱分析了镁铝水滑石、铜镁铝类水滑石、铜锌镁铝类水滑石生长溶液拉曼位移,发现镁铝水滑石层板生长基元是[Mg-(OH)6]4-,[Al-(OH)6]3-;含铜锌类水滑石的生长基元是[M-(OH)6]4-(M=Zn2+,Cu2+),[Mg-(OH)6]4-,[Al-(OH)6]3-,水滑石的生长是生长基元先叠合为金属板层,然后再吸附阴离子An及H2O,依此循环而组成层状化合物.水滑石生长基元所处生长环境不同,会使生长形态不同,以至形成不同外形的水滑石.文章还分析了为什么含铜类水滑石较难合成的原因.

关 键 词：负离子配位多面体生长基元模型 生长机理 生长形态 姜-泰效应 水滑石晶体 

分 类 号：O781[理学—晶体学]