光电双基区晶体管光控脉冲振荡器的实验研究  

Experimental Investigations into PDUBAT Light Controlled Pulse Oscillators

作　　者：沙亚男[1] 李树荣[1] 郭维廉[1] 郑云光[1] 毛陆虹[1] 张培宁[1] 

机构地区：[1]天津大学电子信息工程学院,天津300072

出　　处：《微电子学》2000年第1期11-13,16,共4页Microelectronics

基　　金：光电子集成联合实验室;中科院半导体所实验区开放课题资助项目 ;天津市自然科学基金资助项目! ( 983 60 14 11)

摘　　要：光电双基区晶体管(PDUBAT)是一种能产生‘N’型光电负阻特性的新型光电负阻器件。通过对试制出的样管进行测试,发现PDUBAT在无外接电感的情况下即可发生脉冲振荡。脉冲振荡的频率和振幅均受到入射光强度的调制,即随光强的增大,振荡频率增加,振幅减小。最后,对该器件的应用及发展前景进行了讨论。Photoelectronic DUal BAse Transistor(PDUBAT)is a novel photoelectronic negative resistance device,which has the characteristics of ‘N’ type negative resistance.Experimental investigations are made into fabricated sample devices in the paper.It is found that PDUBAT can operate as a pulse oscillator without the external load of inductors,whose frequency and magnitude are modulated by the intensity of the input light.Finally,applications and prospects of the development of PDUBATs are discussed.

关 键 词：双基区晶体管 光电负阻器件 光控脉冲振荡器 

分 类 号：TN364.3[电子电信—物理电子学] TN752