一种实用化的互补双极工艺技术  

A Practical Complementary Bipolar Technology

作　　者：张正元[1] 张正璠[1] 

机构地区：[1]信息产业部电子第二十四研究所,重庆400060

出　　处：《微电子学》2000年第1期66-68,共3页Microelectronics

摘　　要：在3μm工艺条件下开发了一套实用的互补双极工艺(CB)。利用此工艺制造出特征频率分别为3.2GHz和1.6GHz的高性能NPN与PNP管,并成功地集成在压摆率高达2200V/μs的高速运算放大器芯片中。A practical 3 μm complementary bipolar process has been developed.With this technology,high performance npn and pnp transistors with an f T of 3.2 GHz and 1 6 GHz,respectively,are fabricated,which are integrated into high speed operational amplifier ICs with a swing rate of 2200 V/μs.The process experiment is described,and the results are discussed.

关 键 词：互补双极工艺 集成电路 运算放大器 

分 类 号：TN405[电子电信—微电子学与固体电子学]