SiH在Si(001)面吸附的第一性原理研究  

作　　者：文黎巍[1] 裴慧霞[1] 王宇杰[1] 支联合[1] 

机构地区：[1]周口师范学院物理与电子工程系,河南周口466001

出　　处：《周口师范学院学报》2012年第2期50-53,共4页Journal of Zhoukou Normal University

基　　金：河南省教育厅自然科学基金项目(2008B140012)

摘　　要：用基于密度泛函理论的第一性原理方法研究了SiH在Si(001)面的吸附,计算了SiH在6个高对称位置吸附后的优化结构、吸附能以及键长和键角的变化等.研究发现,在同一排的二聚体之间的吸附最稳定,二聚体上次之,相邻二聚体排之间的槽内最不稳定.

关 键 词：第一性原理 吸附能 SIH 反应机制 

分 类 号：O411[理学—理论物理]