一种CMOS带隙基准源的设计与仿真  

作　　者：谢应孝[1] 单海校[1] 刘国平[1] 

机构地区：[1]浙江海洋学院机电工程学院,浙江舟山316000

出　　处：《福建电脑》2012年第2期162-163,100,共3页Journal of Fujian Computer

摘　　要：分析了传统带隙基准源的基本原理,并在此基础上一款CMOS带隙基准源电路。该电路基于UMC0.18μm CMOS工艺设计,利用cadence软件进行仿真。仿真结果表明,CMOS带隙基准源稳定输出电压1.22V,该电路在温度从-50-100℃进行扫描,其变化率为10.7ppm/℃,电源电压在1.7V-1.9V范围内发生变化时帯隙基准源输出电压变化很小。

关 键 词：带隙基准源 CMOS 温度系数 

分 类 号：TP391.9[自动化与计算机技术—计算机应用技术]