0.9μmASIC正向设计中的总体仿真及测试矢量产生  

Total Simulation and Test Vector Generation in 0.9μm ASIC Top-Down Design

作　　者：居水荣 郑明 

机构地区：[1]中国华晶电子集团公司MOS总厂设计所,无锡214061

出　　处：《微电子技术》2000年第2期17-21,共5页Microelectronic Technology

摘　　要：给出了在以VHDL为硬件描述语言的 0 9μmCMOS标准单元正向设计中 ,在存在用户定制单元及ROM宏单元情况下的总体仿真方法 ,讨论了测试矢量的产生及验证。While user-custom cell and ROM macrocell exist in the 0.9μm CMOS standardcell top-down design flow,the total similation methods are given. The testvector generation and verification are discussed.

关 键 词：总体仿真 测试矢量 正向设计 ASIC 集成电路 MOS 

分 类 号：TN432.02[电子电信—微电子学与固体电子学]