Mg掺杂对MgZnO纳米线带隙和结构的调节  

Band Gap and Structural Properties of MgZnO Nanowires Modulated by Mg Doped

作　　者：张艳革[1] 何海燕[1] 潘必才[1,2] 

机构地区：[1]中国科学技术大学物理系,合肥230026 [2]中国科学技术大学 合肥微尺度物质科学国家实验室,合肥230026

出　　处：《金属功能材料》2012年第2期37-41,共5页Metallic Functional Materials

基　　金：安徽省国家科学基金(NO.11040606M17);中央高校基本科研业务费专项资金;国家基础研究计划(Grant NO.2009CB939901);中国博士后科学基金(NO.20090 450813)的支持;香港王宽诚教育基金;国家教育部博士点基金的项目资助

摘　　要：采用第一性原理对Mg掺杂的不同尺寸MgZnO合金纳米线的晶体结构、分布行为、电子结构和波函数进行了计算和分析。研究表明,Mg在合金纳米线中偏向均匀分布并且Mg能有效地在较大范围内线性调节纳米线的带隙。此外,通过计算结合能得到MgxZn1-xO纳米线从纤锌矿结构到岩盐矿结构的相变点在x=0.65,和实验上薄膜的转变点(0.62)很接近。Based on the first principles calculations, we systematically investigate the structural, distribution, elec-tronic structural and wave function of different sizes of wurtzite MgZnO alloy nanowires with different component of Mg. It was found that the Mg atoms prefer to distribute discretely and uniformly in the alloy nanowire and modulate the band gap of the alloy nanowire linearly. Besides, the calculated binding energy reveals that the phase transition from the wurtzite to cubic structures occurs at x=0.65 for the alloy MgxZn1-xO nanowires, which is close to that of the alloy nanofilms.

关 键 词：第一性原理 相变点 密度泛函理论 MgZnO合金纳米线 能带调节 

分 类 号：TB383.1[一般工业技术—材料科学与工程]