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作 者:刘海瑞[1,2] 赵丹[1,2] 梁建[1,2] 张竹霞[1,2] 刘旭光[1,3] 贾虎生[1,2] 许并社[1,2]
机构地区:[1]太原理工大学新材料界面科学与工程教育部重点实验室,太原030024 [2]太原理工大学材料科学与工程学院,太原030024 [3]太原理工大学化学化工学院,太原030024
出 处:《无机化学学报》2012年第6期1177-1182,共6页Chinese Journal of Inorganic Chemistry
基 金:高校长江学者和创新团队(No.IRT0972);国家自然科学基金(No.51002102);山西省自然科学基金(No.2009021026);山西省研究生优秀创新项目(No.20113033);山西省高等学校优秀青年学术带头人资助项目
摘 要:采用常压化学气相沉积法(APCVD),分别以金属镓(Ga),铟(In)和氨气(NH3)为镓源,铟源和氮源,在Si衬底上利用催化剂Au成功合成了不同形貌的InxGa1-xN纳米材料。利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM),X射线光电子能谱(XPS)和光致发光谱(PL)对比研究了InxGa1-xN(x=0,0.25)纳米材料在形貌,化学成分,晶体结构以及发光特性的变化。分析结果表明:当没有催化剂时,所生成的InxGa1-xN样品形貌由片状结构自组装成花状结构,而在催化剂Au的作用下,生成的InxGa1-xN纳米晶的形貌变为以纳米线为轴在其上生长的片状的"塔"状结构;虽然在催化剂Au的作用下生成的InxGa1-xN(x=0.25)形貌发生了很大变化,但晶体结构未发生改变,均为六方纤锌矿结构;PL分析结果显示InxGa1-xN纳米结构的发光性能随着In含量的增加,发光谱的强度增加且同时出现了蓝光区,在催化剂Au的作用下生成的InxGa1-xN的发光强度最强。最后对不同形貌InxGa1-xN其生长机理做简单分析。Different morphologies of InxGa1-xN (x=0, 0.25) nanomaterials were prepared upon Si substrates by Atmospheric Pressure Chemical Vapor Deposition (APCVD), metal Ga, In, NH3 gas as the source of InxGa1-xN, respectively. Gold (Au) as catalyst has an important role for the change of morphology. The morphology, chemical composition, crystalline, and PL properties of InxGa1-xN were investigated by XRD, SEM, XPS, and PL, respectively. The results show that all samples are Wurtzite structure, however, the morphology has been changed from flower to pagoda with the effect of Au catalyst; with the increase of In content, the intensity of PL for InxGa1-xN nano-crystals increases and blue light zone appears. In addition, the intensity of PL of InxGa1-xN prepared with the catalysis of Au is the strongest comparing with others samples. Finally, a possible formation process for growing different morphologies InxGa1-xN nano-structures is proposed.
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