不同气压下SF_6间隙击穿通道的比较  

The Comparison Breakdown Channels in SF_6 Gap under Different Gas Pressures

作　　者：顾温国[1] 邱毓昌[2] 

机构地区：[1]华中理工大学,武汉430074 [2]西安交通大学,710049

出　　处：《高压电器》2000年第1期8-11,共4页High Voltage Apparatus

摘　　要：研究了不同气压下ＳＦ_６间隙在直流和冲击电压作用下的击穿通道，并对不同气压下ＳＦ_６气体的电晕稳定化作用进行了探讨。The breakdown channels of a SF6 gap under DC and impulse voltages of different gas pressures are investigated in this paper. The corona stabilization of SF6 under different gas pressures is also discussed.

关 键 词：C-GIS 六氟化硫 击穿通道 电晕 真空断路器 

分 类 号：TM8[电气工程—高电压与绝缘技术]