IR推出采用TSOP-6封装的HEXFETMOSFET系列产品  

出　　处：《中国电子商情》2012年第5期92-92,共1页China Electronic Market

摘　　要：IR推出一系列采用TSOP-6封装、搭载IR最新低压HEXFETMOSFET硅技术的器件，适用于电池保护与逆变器开关中的负载开关、充电和放电开关等低功率应用。全新的功率MOSFET具备极低的导通电阻（RDS（on）），能够大幅降低传导损耗。新产品可以作为N及P通道配置里的20V或30V器件，最大栅极驱动从12Vgs到20Vgs不等。所有新器件均达到第一级潮湿敏感度（MSLＩ）业界标准，并符合电子产品有害物质管制规定（RoHS），不含铅、溴化物和卤素。

关 键 词：电子产品 IR 封装 有害物质 器件 硅技术 逆变器 SLI 

分 类 号：F426.63[经济管理—产业经济]