类钯Xe^(8+)离子DR速率系数的理论计算  

作　　者：张国鼎[1] 符彦飙[1] 刘丽娟[1] 

机构地区：[1]西北师范大学物理与电子工程学院,甘肃省原子分子物理与功能材料重点实验室,甘肃兰州730070

出　　处：《甘肃科技》2012年第7期55-57,共3页Gansu Science and Technology

摘　　要：详细研究了温度在0.1～1650eV范围内类钯Xe8+离子的DR过程。详细计算了4d、4p和4s壳层电子激发到4f和5l壳层的DR速率系数,通过比较4d、4p和4s壳层电子激发的DR速率系数,发现在中低温时,4d电子激发的DR速率数最大,在高温时,内壳层4p和4s电子激发对总DR速率系数有重要的贡献。

关 键 词：双电子复合 速率系数 Xe8+离子 激发 

分 类 号：O562.4[理学—原子与分子物理]