100G DWDM优化OSNR的技术  

OSNR Optimization Technology in 100G DWDM

作　　者：郭中华[1] 

机构地区：[1]上海贝尔股份有限公司,上海201012

出　　处：《邮电设计技术》2012年第5期43-46,共4页Designing Techniques of Posts and Telecommunications

摘　　要：讨论了提升R点系统OSNR门限的3种方法以及在偏振复用相干检测技术下Q裕度的调整范围;最后论证了芯片技术是商用SD-FEC的关键。It discusses 3 ways on improving the threshold of OSNR（R point）, and the adjustment range of Q margin in polarization multi- plexing and coherent detection. Finally it demonstrates that the chip technology is key for commercial SD-FEC.

关 键 词：背靠背OSNR Q裕量 纠前误码 软判决 400G芯片 

分 类 号：TN914[电子电信—通信与信息系统]