CdF_2半导体膜中电子-表面声子强耦合对极化子性质的影响  

Influence of Electron\|Surface Phonon Strong\|Coupling on Properties of Polaron in CdF_2 Semiconductor Slab\+*

作　　者：额尔敦朝鲁[1] 肖景林[1] 李树深[2] 

机构地区：[1]内蒙古民族师范学院物理系,内蒙古通辽市028043 [2]半导体超晶格国家重点实验室,北京100083

出　　处：《Journal of Semiconductors》2000年第3期225-231,共7页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金!(批准号 :6973 60 1 0 );中国科学院激发态物理开放研究实验室科学基金

摘　　要：采用改进的 Huybrechts线性组合算符和变分方法 ,研究了半导体膜内电子与表面光学声子强耦合、与体纵光学声子弱耦合对极化子性质的影响 ,得到了极化子的有效质量和自陷能随膜厚的变化规律 .对 Cd F2 半导体 。The influences of the electron interaction with both the weak\|coupling bulk longitudinal optical phonons and the strong\|coupling surface optical phonons on the properties of the polaron in a semiconductor slab are studied by using improved Huybrechts' linear combination operator and variational method.The law of the change of the effective mass and the self\|trapping\|energy of the polaron changing with the thickness of the slab is derived.For CdF\-2 semiconductor,the contributions of different branches phonon\|electron interaction on the effective mass and self\|trapping\|energy of the polaron are calculated.

关 键 词：电子-声子耦合 极化子 CdF2 半导体薄膜 

分 类 号：TN304.055[电子电信—物理电子学]