Hg_(1-x)Cd_xTe的拉曼光谱  

The Raman Spectroscopy of Hg_(1-x) Cd_xTe

作　　者：黄仕华[1] 黄守江 雷春红[2] 张鹏翔[1] 

机构地区：[1]云南工业大学数理材料学院,云南昆明650051 [2]昆明物理研究所,云南昆明650223

出　　处：《红外技术》2000年第2期39-42,共4页Infrared Technology

基　　金：云南工业大学校立基金资助 !编号 :980 10

摘　　要：我们发现Hg1 -xCdxTe的拉曼散射峰随着温度的变化会发生频移 ,它的二级散射峰来自LO1 +LO1 ,LO1 +LO2 ,LO2 +LO2 ,并且它们的强度对晶体的完整性较敏感。同时也发现Hg1 -xCdxTe中的Te的沉淀相和Te的氧化物相的拉曼散射峰。We find Raman scattering shift moves as temperature varies. Its second Laman scattering bands are assigned as LO 1 + LO 1,LO 1+LO 2,LO 2+LO 2,and the intensity of these bands is sensitive to crystal perfection. We also find Laman scattering bands of Te precipitated phase and its oxide phase in Hg 1-x Cd xTe.

关 键 词：拉曼散射 半导体化学物 红外探测器材料 

分 类 号：TN213.01[电子电信—物理电子学]