碳酸铈焙烧过程中晶粒长大的蒙特卡洛法模拟  

Monte Carlo Simulation of Grain Growth in Cerium Carbonate Calcination Process

作　　者：曹晓俊[1] 柳召刚[1] 李梅[1] 胡艳红[1] 王觅堂[1] 

机构地区：[1]内蒙古科技大学材料与冶金学院,内蒙古自治区稀土现代冶金新技术与应用重点实验室,包头014010

出　　处：《有色金属（冶炼部分）》2012年第6期47-49,共3页Nonferrous Metals（Extractive Metallurgy)

基　　金：国家杰出青年基金项目(51045216);长江学者和创新团队发展项目(50725416);教育部春晖计划项目(Z2009-1-01051)

摘　　要：基于蒙特卡洛法模拟对碳酸铈焙烧过程中CeO2晶粒的长大过程进行了计算。结果表明,温度在873K以下,晶粒生长比较缓慢,焙烧时间对晶粒的长大没有显著影响;温度大于873K后,晶粒生长速度明显提高,焙烧时间长,晶粒明显长大。The growth of CeO2 crystal particle in cerium carbonate calcination process was calculated by means of Monte Carlo Model simulation. The results show that the growth rate of crystal particle is quite low when the temperature is below 873 K; while the rate rises sharply when the temperature is higher than 873 K.

关 键 词：碳酸铈 焙烧 晶粒长大 蒙特卡洛模拟 

分 类 号：TG115.213.1[金属学及工艺—物理冶金]