无铋氧化锌压敏电阻的研究  

Study of Bismuth-free ZnO Varistor

作　　者：马晋毅[1] 

机构地区：[1]四川压电与声光技术研究所,重庆400060

出　　处：《压电与声光》2000年第1期27-29,共3页Piezoelectrics & Acoustooptics

摘　　要：讨论了无铋氧化锌压敏电阻压敏特性的根本原因。由于离子置换使得Ｚｎ２＋成为填隙离子，从而在氧化锌晶粒间引起肖特基势垒。对于氧化锌压敏电阻而言，双肖特基势垒是形成非线性电特性的根本因素。The origin of voltage-sensitive properities of bismuthufree ZnO varistor is discussed. Because of the substitution reaction of ZnO,the ion Zn2+ becomes the intertsitial ion and brings forward to forming of Stocky energy barrier at the ZnO grain boundary. The double Stocky energy barrier is the indispensable factor for non-linear character of ZnO varistor.

关 键 词：无铋氧化锌 压敏电阻 肖特基势垒 压敏特性 

分 类 号：TN304.9[电子电信—物理电子学] TN384