SrTiO_3双功能陶瓷中TiO_2掺杂的作用  

TiO_2 Doping Behavior in SrTiO_3 Capactor-varistor Ceramics

作　　者：李建英[1] 李盛涛 庄严[2] 屠德民 

机构地区：[1]西安交通大学电气绝缘研究中心电力设备电气绝缘国家重点实验室,西安710049 [2]广州通信研究所,广州510310

出　　处：《压电与声光》2000年第1期46-48,共3页Piezoelectrics & Acoustooptics

摘　　要：研究了ＴｉＯ２掺杂对ＳｒＴｉＯ３电容－压敏双功能陶瓷晶粒生长特性和电性能的作用规律。研究结果表明ＴｉＯ２添加量较小时瓷体不能实现半导化。随着ＴｉＯ２添加量的增大，烧结后的表观电阻率减小，压敏电压和非线性指数减小，表观介电常数增大。ＳＥＭ观察发现ＴｉＯ２添加量较小时晶粒内部出现裂痕，较多的ＴｉＯ２添加量利于晶粒的长大。The effect of TiO2 doping on the grain growth and electrical properties of SrTiO3 Capactor-varistor ceramics was studied' When TiO2 addition is small,samples can not be semiconducted. With an increase of TiO2 addition, the apparent resistivity before heat treating, varistor voltage and non-linear exponent decrease while the apparent dielectric constant increases.SEM observation shows that when TiO2 addition is small, there exist cracks in the grains. More TiO2 addition promotes grain growth.

关 键 词：掺杂 功能陶瓷 氧化钛 钛酸锶 

分 类 号：TM283[一般工业技术—材料科学与工程]