TSMC采用28纳米工艺生产的ARM@CortexTM-A9测试芯片超越3GHz  

出　　处：《中国集成电路》2012年第6期9-9,共1页China lntegrated Circuit

摘　　要：TSMC日前宣布，采用28纳米高效能工艺生产的ARM@CortexTM-A9双核心处理器测试芯片在常态下的处理速度高达3．1GHz。TSMC是采用28纳米高效能移动运算工艺（28nmHighPerformanceMobileComputing，28HPM）实现此优异成果，提供高速与低漏电的解决方案。配合各种设计最后验证的要求，

关 键 词：纳米工艺 TSMC 芯片 测试 生产 双核心处理器 漏电 

分 类 号：TN402[电子电信—微电子学与固体电子学]