真空静电封接过程与分析  

The Process and Analysis of Vacuum Electrostatic Bonding

作　　者：吴新坤[1] 郭太良[1] 黄振武 林建光 章秀淦 王瑞红 

机构地区：[1]福州大学电子科学与应用物理系,福建福州350002

出　　处：《福州大学学报（自然科学版）》2000年第2期16-19,共4页Journal of Fuzhou University(Natural Science Edition)

基　　金：福建省自然科学基金资助项目!(F96 0 2 4 )

摘　　要：叙述了真空静电封接技术的工艺过程 ,对封接结果做扫描电子显微镜 (SEM)断面观察 ,并对封接件断面的元素浓度的深度分布用二次离子质谱分析器 (SIMS)进行分析 ,提出了真空静电封接的类电容器结构的新模型 .The paper has put forward a new explanation for vacuum electrostatic bonding(VEB) model similar to capacitor's configuration by discussing the working procedure of VEB technology and observing its cross\|section with scanning electron microscope (SEM) and by analyzing the element consistency distribution in depth on the workpiece cross-section with secondary ion mass spectroanalyzer (SIMS).

关 键 词：真空 静电封接 工艺 SEM 半导体 玻璃 封接质量 

分 类 号：TN305.94[电子电信—物理电子学]