InAlAs/GaSbAs/InP DHBT与InP/GaSbAs/InPDHBT性能比较分析  

Comparison of the performance for InAlAs/GaSbAs/InP DHBT and InP/GaSbAs/InP DHBT

作　　者：周守利[1] 杨万春[2,3] 任宏亮[1,2] 李伽[1] 

机构地区：[1]浙江工业大学信息工程学院,杭州310023 [2]中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,上海200050 [3]湘潭大学信息工程学院,湘潭411105

出　　处：《物理学报》2012年第12期572-577,共6页Acta Physica Sinica

基　　金：信息功能材料国家重点实验室2009开放基金(批准号:FMI2009-08);湖南省教育厅项目(批准号:09C959);湖南省科技厅项目(批准号:2010TY2003);浙江省自然科学基金(批准号:LY12F04003)资助的课题~~

摘　　要：双异质结双极晶体管(DHBT)的性能与发射区-基区(E-B)异质结和基区-集电区(B-C)异质结的能带突变类型关系密切,本文基于热场发射-扩散模型,对两类不同能带结构类型的新型DHBT的性能做了比较分析.结论表明:与作为当今研究热点的E-B和B-C异质结构均为全交错Ⅱ型能带结构的InP/GaSbAs/InP DHBT的性能相比,E-B异质结采用传统Ⅰ型、B-C异质结采用交错Ⅱ型的一类新型能带结构的InAlAs/GaSbAs/InP DHBT虽然在开启电压上更高,但具有更好的电流驱动能力、直流增益和高频性能.The characteristics of a double heterojunction bipolar transistor（DHBT） depend closely on the type of band alignment structure at the hetero-interface between emitter-base（E-B） heterojunction and base-collector（B-C） heterojunction. Based on thermionic-field- diffusion model, the comparisons are made of the DC and the RF characteristics between two novel HBTs, that is, InA1As/GaSbAs/InP DHBT and InP/GaSbAs/InP DHBT, of which the former has a type-I E-B junction and a type-II B-C junction and the later has a type-II E-B junction and a type-II B-C junction. The simulation results show that DHBT with a type-I E-B junction and a type-II B-C junction has much better current driving capability, DC gain and RF performance, although it has a slightly high turn-on voltage.

关 键 词：InAlAs/GaSbAs InP/GaSbAs Ⅱ型双异质结双极晶体管 

分 类 号：TN322.8[电子电信—物理电子学]