不同半导体材料构成三维光子晶体带隙特性  

Band Gap Properties of Three-Dimensional Photonic Crystals with Different Semiconductor Material

作　　者：李院平[1] 邴丕彬[2] 闫昕[1] 梁兰菊[1] 薛冬[1] 田贵才[1] 

机构地区：[1]枣庄学院光电工程学院,枣庄277160 [2]华北水利水电学院电力学院,郑州450011

出　　处：《人工晶体学报》2012年第3期779-782,797,共5页Journal of Synthetic Crystals

基　　金：山东省2012年高等学校科技计划项目(J12LJ51);山东省2011年高等学校科技计划项目(J11LG74);国家科技支撑计划(2008BAC34B03-1-4);枣庄市科学技术发展计划项目(200926-5);枣庄市科学技术发展计划项目(201127)

摘　　要：应用平面波展开法研究Ⅳ、Ⅲ-Ⅴ、Ⅱ-Ⅵ和Ⅳ-Ⅵ族半导体材料构成三维光子晶体的带隙特性,通过数值模拟得到半径与晶格常数的最佳比值,计算得到不同材料对应的最大完全光子带隙,其中Ⅲ-Ⅴ族构成的三维光子晶体要普遍宽一些,Ⅳ中的Ge具有较大的完全带隙,研究结论为三维光子晶体的制作提供理论依据。Band gap of three-dimension photonic crystals with the group Ⅳ、Ⅲ-Ⅴ、Ⅱ-Ⅵ and Ⅳ-Ⅵ semiconductor material were calculated by plane wave expansion method（PWM）.The best ratio of radius to lattice constant and the maximum complete band gap were calculated.The results showed that they have wide photonic band gaps with group Ⅲ-Ⅴsemiconductor material,and photonic crystals with group Ⅳ Ge has the wider band gap.All these results can provide theoretic basis for three-dimensional photonic crystal devices design

关 键 词：三维光子晶体 平面波展开法 带隙特性 

分 类 号：TB32[一般工业技术—材料科学与工程]