接地方式对屏蔽线缆在HIRF照射下耦合的影响  

作　　者：吴晓联 苏丽媛[2] 高成[2] 

机构地区：[1]海司信息化部 [2]解放军理工大学电磁环境效应与电光工程国家级重点实验室

出　　处：《信息系统工程》2012年第6期18-19,17,共3页

基　　金：国家自然科学基金资助课题(NO.60971063)

摘　　要：随着空间电磁环境的日益复杂,高强辐射场(HIRF)对飞行器的电力、电子设备的影响越来越大,已严重威胁飞行安全。接地是电磁防护的有效手段,为了分析接地方式对屏蔽线缆在HIRF照射下的耦合特性,采用FEKO电磁仿真软件进行仿真研究。研究结果表明:屏蔽层接地电阻在0到20mΩ范围内变化时,线缆负载端电流值随频率变化的相差不大;入射频率较高时电缆屏蔽层多点接地比只有两端接地时电缆芯线上的耦合电流要小,当电缆长度小于λ/20时,多点接地泄流的效果反而不如两端接地。所得结论有一定的工程应用价值。

关 键 词：屏蔽线缆 接地 HIRF 耦合 

分 类 号：O441.4[理学—电磁学]