基于配位聚合物薄膜的电存储器件  

A Memory Device Based on Coordinated Polymer Films

作　　者：王鹏飞[1] 董元伟[1] 季欣[1] 徐伟[1] 

机构地区：[1]复旦大学材料科学系,上海200433

出　　处：《复旦学报（自然科学版）》2012年第3期322-324,334,共4页Journal of Fudan University：Natural Science

摘　　要：研究发现,2,5-二巯基-1,3,4-噻二唑(DMcT)的乙醚溶液能够与铜膜发生固-液界面反应,并在铜膜表面上形成了一层配位聚合物薄膜(Cu-DMcT).研究还发现,Cu/Cu-DMcT/Al器件具有一次写入、多次读取(WORM)的电存储性能,并有很好的成品率和信息保持性能.器件的高低阻态比可以高达106.A film of coordination polymers（Cu-DMcT） was prepared on a copper surface through the solid-liquid interface reactions between the copper film and an ether solution of 2,5-Dimercapto-1,3,4-thiadiazole（DMcT）.The Cu / Cu-DMcT / Al device exhibited a write-once read-many-time memory（WORM） characteristic,with high production yield and good retention capacity.The on / off ratio could reach as high as 10 6.

关 键 词：配位聚合物 固液界面反应 电存储器件 

分 类 号：O626[理学—有机化学] O484.4[理学—化学]