基于速度饱和的CMOS倒相器延迟模型  

Comprehensive Delay Model for CMOS Inverters Based on Velocity Saturation

作　　者：宋任儒[1] 阮刚[1] 梁擎擎[1] ReinhardStreiter ThomasOtto ThomasGessner 

机构地区：[1]复旦大学电子工程系专用集成电路与系统国家重点实验室 [2]Chemnitz技术大学微技术中心

出　　处：《Journal of Semiconductors》2000年第7期711-716,共6页半导体学报（英文版）

摘　　要：提出了一个新的小尺寸 CMOS倒相器延迟模型 ,它考虑了速度饱和效应以及非阶梯的输入信号对延迟的影响并给出了倒相器快输入响应与慢输入响应的判据 ,模型计算结果与SPICE BSIM1模型的模拟结果吻合得很好 .An improved analytical model is developed to predict the propagation delay of a small size CMOS inverter, which includes the effect of the velocity saturation and the influence of input waveform slope.The criteria for fast\|input response and slow\|input response of inverter are derived as well.A good agreement has been achieved between the presented model and SPICE BSIM1 model.

关 键 词：速度饱和 倒相器 延迟 CMOS 

分 类 号：TN432[电子电信—微电子学与固体电子学] TN623