具有平坦增益的3.1～10.6GHz UWB CMOS低噪声放大器设计  

A 3.1～10.6 GHz CMOS UWB LNA with Flat Gain

作　　者：杜四春[1] 王春华[1] 张光祥[1] 

机构地区：[1]湖南大学信息科学与工程学院,湖南长沙410082

出　　处：《湖南大学学报（自然科学版）》2012年第7期49-53,共5页Journal of Hunan University:Natural Sciences

基　　金：湖南省科技计划项目(2010FJ4246)

摘　　要：提出了一种采用0.18μm CMOS工艺的3.1～10.6GHz超宽带低噪声放大器.电路的设计采用了电流复用技术与阻抗反馈结构,具有低功耗和平坦增益的特性.仿真结果显示,在3.1～10.6GHz频率变化范围内,低噪声放大器达到平均17.5dB的电压增益,输入和输出的回波损耗均低于-8dB,最小噪声系数约为2.8dB,在电源电压为1.5V下功耗约为11.35mW.This paper presented a 3.1~10.6 GHz ultra-wideband （UWB） low noise amplifier （LNA） in a 0. 18μm CMOS process. The circuit was designed with current-reuse and impedance feedback technol- ogy, so it has the characteristics of low power dissipation and flat gain. Simulation results have shown that, across the frequency band of interest, the LNA achieves 17.5 dB of average gain, the input and out- put return loss is lower than --8 dB, respectively, the minimum NF is about 2.8 dB, and the power dissi- pation is about 11.35 mW under the power supply of 1.5 V.

关 键 词：低噪声放大器(LNA) 超宽带 平坦度 电流复用技术 

分 类 号：TN911.8[电子电信—通信与信息系统]