树形结构Si/ZnO纳米线阵列的制备及光学性能  

Synthesis and Optical Properties of Si/ZnO Branched Nanowire Arrays

作　　者：徐志堃[1,2] 赵东旭[1] 孙兰兰[1] 鄂书林[1] 张振中[1] 秦杰明[3] 申德振[1] 

机构地区：[1]发光学及应用国家重点实验室中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,吉林长春130033 [2]中国科学院研究生院,北京100039 [3]长春理工大学材料科学与工程学院,吉林长春130022

出　　处：《发光学报》2012年第7期760-763,共4页Chinese Journal of Luminescence

基　　金：国家自然科学基金(21101146);国家"973"计划(2011CB302004)资助项目

摘　　要：用一种低成本的方法制备出了树形结构Si/ZnO纳米线阵列。首先在室温条件下用金属辅助化学腐蚀法在Si(100)衬底上制备了Si纳米线阵列,Si纳米线的直径尺寸及分布都很均匀,通过改变腐蚀时间,能够得到高度不同的Si纳米线阵列。利用磁控溅射在Si纳米线表面制备一层ZnO薄膜,然后利用水热法在Si纳米线阵列上生长了ZnO纳米线。通过扫描电子显微镜(SEM)、能谱分析仪(EDS)和光致发光(PL)测试对样品进行了表征。通过这种方法制备的Si/ZnO复合结构在太阳能电池、光催化等领域有潜在应用价值。A low-cost approach for fabricating Si/ZnO branched nanowire arrays was reported.The Si nanowire arrays were prepared on Si（100） substrate using a metal-assisted chemical etching process at room temperature.The diameter and distribution are uniform,and the length of Si nanowire could be tuned by varying the etching time.The ZnO film on the surface of Si nanowire was obtained by magnetron sputtering method and then the ZnO nanowires were prepared via hydrothermal method.The samples were characterized by field-emission scanning electron microscopy（SEM）,energy dispersive X-ray spectroscopy（EDS） and photoluminescence（PL）.The Si/ZnO branched nanowire arrays are suitable for applications in photovoltaic and photocatalysis.

关 键 词：ZNO SI 金属辅助化学腐蚀 水热法 纳米线阵列 

分 类 号：O484.4[理学—固体物理]