可控硅dIT/dt测试线路的设计与测量  

Design and Measurement of SCR dIT/dt Test Circuit

作　　者：郭素萍[1] 居大鹏 

机构地区：[1]无锡科技职业学院尚德光伏学院,江苏无锡214028 [2]恩智浦半导体(上海)有限公司,上海200000

出　　处：《电子产品世界》2012年第8期41-42,共2页Electronic Engineering & Product World

摘　　要：dIT/dt是衡量可控硅可靠性的一个重要参数,过高的dIT/dt可能会导致可控硅损坏或失效,故设计一个能准确测量此参数的低成本线路显得尤为关键。本文设计了一个简洁的测量可控硅dIT/dt的测试电路,并介绍了它的测试原理与测试方法,且测量了市场上的BTA208-600B,得出了测试结果,与该产品说明书的值一致。可应用于研发可控硅的企事业单位和研究所测试可控硅。

关 键 词：dIT/dt BTA208-600B 可控硅 测试 电流上升率 

分 类 号：TN344[电子电信—物理电子学]