检索规则说明:AND代表“并且”;OR代表“或者”;NOT代表“不包含”;(注意必须大写,运算符两边需空一格)
检 索 范 例 :范例一: (K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 范例二:J=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT M=Visual
作 者:乔丽萍[1] 靳钊[2] 王江安[2] 刘泽国[1]
机构地区:[1]西藏民族学院信息工程学院,陕西咸阳712082 [2]长安大学信息工程学院,西安710064
出 处:《固体电子学研究与进展》2012年第4期380-385,共6页Research & Progress of SSE
基 金:西藏民族学院校内资助项目(12myY08);中央高校基本科研业务费资助项目(CHD2011JC084;CHD2011ZD004;CHD2012TD011);国家自然科学基金资助项目(61162025;51164031)
摘 要:提出了一种满足ISO/IEC18000-6C标准的无源超高频RFID(射频识别)标签芯片的射频前端结构,该结构包括高效率电荷泵、解调器、调制器、阻抗匹配网络和ESD保护电路。电荷泵通过阈值补偿原理及精确控制补偿电压有效抑制反向漏电流,消除了传统电荷泵中的阈值损失。芯片经TSMC0.18μm CMOS mixed signal工艺流片,实测结果表明,标签最远读距离达7m,写距离为3m,可应用于识别与定位,同时满足HBM2 000V的抗静电指标。An ISO/IEC 18000-6C compliant RF front end for passive UHF RFID tag is presented, this RF front end includs a charge pump with high power conversion efficiency (PCE), demodulator, modulator, impedance matching network and ESD protecting circuit. The reverse leakage current is suppressed and the threshold voltage drop is eliminated by introducing the threshold compensation and accurate compensation voltage. The chip has been fabricated with TSMC 0. 18 vm CMOS mixed signal process, experimental measurement shows that the read range achieves 7 m while the write range is 3 m, which can be used for identification and localization, the target of HBM 2 000 V ESD protecting is also completed.
分 类 号:TN402[电子电信—微电子学与固体电子学] TN433
正在载入数据...
正在载入数据...
正在载入数据...
正在载入数据...
正在载入数据...
正在载入数据...
正在载入数据...
正在链接到云南高校图书馆文献保障联盟下载...
云南高校图书馆联盟文献共享服务平台 版权所有©
您的IP:3.138.197.104