类氖W^(64+)离子基态双电子复合过程的细致能级计算  

Detailed level-by-level study of dielectronic recombination for neon-like tungsten

作　　者：吴华[1] 杨建会[2,3] 张建平[2] 朱林[2] 

机构地区：[1]中国民航飞行学院,广汉618307 [2]乐山师范学院物理与电子工程学院,乐山614004 [3]四川大学原子与分子物理研究所,成都610065

出　　处：《四川大学学报（自然科学版）》2012年第4期843-848,共6页Journal of Sichuan University(Natural Science Edition)

基　　金：中国民航飞行学院基础研究项目(J2010-20);四川省教育厅资助项目(10ZC109)

摘　　要：本文使用相对论组态相互作用方法计算了0.1E_1≤kT_e≤10E_1(E_1是类钠钨离子的第一电离能E_1=7129.5 eV)温度范围内类氖W^(64+)离子基态双电子复合(DR)速率系数.类氖W^(64+)离子基态DR过程需要考虑(2s2p)~73ln′l′,(2s2p)~74l4l′以及(2s2p)~74l5l′双激发自电离组态.对于(2s2p)~73ln′l′双激发自电离组态,轨道角量子数l′>8的(2s2p)~73ln′l′组态对双电子复合速率系数的贡献可以忽略不计;(2s2p)~73ln′l′组态双电子激发自电离态的高里德堡态对双电子复合速率系数的贡献满足n′^(-3)组态-组态外推法.对细致计算得到的类氖W^(64)离子基态DR总速率系数进行了拟合,得到W^(64+)离子基态在0.1E_1≤kT_e≤10E_1温度范围内的总DR速率系数随电子温度变化的经验公式.The dielectronic recombination （DR） rate coefficient for neon-like tungsten in the ground state 2s^2 2p6 has been performed using relativistic configuration interaction （RCI） method over a wide tempera- ture ranging from 0. 1E1 to 10E1（E1= 7129.5 eV）, where Ells the ionization energy of the Na-like tung- sten. The results show, the DR process for ground state of W64＋ need consider （2s2p）Z3ln′l′, （2s2p ）7 4141p and （2s2p）74l5l′ autoionizing doubly excited configurations. The contribution of （2s2p）73ln′l′ complex with l′〉8 are found to be negligible. The contribution of high Rydberg states of （2s2p）73ln′l′ complex obeys the complex-complex n′-3 extrapolation. On the basis of the detail level-bylevel results, a general analytic formula for the total DR rate coefficients for W^64＋ has been constructed between 0.1El and 10E1.

关 键 词：相对论组态相互作用 双电子复合 速率系数 自电离 

分 类 号：O562.4[理学—原子与分子物理] O562.1[理学—物理]