GaN沉积的化学反应动力学进展  

The Progress of Chemical Reaction Kinetics with GaN Deposition

作　　者：于海群[1,2] 

机构地区：[1]江苏大学能源与动力工程学院,镇江212013 [2]上海昀丰光电技术有限公司,上海200120

出　　处：《材料导报》2012年第17期21-24,35,共5页Materials Reports

基　　金：国家自然科学基金(61176009);江苏省研究生创新计划项目(CX10B_260Z)

摘　　要：依据文献中的气相反应路径,特别是寄生反应模型和刻蚀反应模型,指出对于存在冷壁面的水平式,加合物的反应路径对沉积起重要作用。在加合物路径中,对薄膜生长起决定作用的是TMGa和TMGa∶NH3,而环状化合物[(CH3)2Ga∶NH2]3形成的可能性很小,可以忽略。对于垂直式反应器,所有的反应物粒子均经过高温边界层区域,遵循热解路径。在高温条件下,对薄膜生长起决定作用的是MMG。纳米粒子的形成需要高温条件,并且纳米粒子的生长遵循CVD机理,可认为气相纳米粒子的主要成分可能是GaN。在高温条件下H2对GaN的刻蚀作用不可忽视。Based on the reaction path of the gas phase in literature, especially the parasitic reaction model and the etching reaction model, the adduct reaction path plays an important role on the film deposition in horizontal reac- tor. The decisive species of the film growth is TMGa and TMGA ： NH3. The cyclic compound[（CH3 ）2Ga ： NH2]3 can be ignored. For vertical reactor, all species have to undergo a high temperature boundary layer region, follow the pyrolysis path. In high temperature conditions, MMG plays a decisive role on the film growth. The formation of nano- particles require high temperature conditions, and follow the CVD growth mechanism. The main component of gas nanoparticles can be considered as GaN. In the high temperature, H2 etching can not be ignored.

关 键 词：反应路径MOCVD 动力学 

分 类 号：O484[理学—固体物理]