紫外光辅助化学汽相沉积在InSb焦平面探测器中的应用  

作　　者：李小宏[1] 

机构地区：[1]中国空空导弹研究院,河南洛阳471009

出　　处：《内江科技》2012年第7期100-100,95,共2页

摘　　要：本文系统描述了利用紫外光辅助化学汽相沉积(UVCVD)技术在InSb芯片背面减薄抛光后沉积SiO_2薄膜,作为减反膜以减少芯片表面对红外光的反射。通过测量SiO_2薄膜的光谱透过率,并利用红外焦平面测试系统测试SiO_2膜对器件性能的影响,表明UVCVD沉积的SiO_2膜具有良好的增透效果和均匀性,能有效提高InSb焦平面器件的性能。

关 键 词：紫外光辅助化学汽相沉积 SiO_2膜 减反 

分 类 号：TN23[电子电信—物理电子学]