检索规则说明:AND代表“并且”;OR代表“或者”;NOT代表“不包含”;(注意必须大写,运算符两边需空一格)
检 索 范 例 :范例一: (K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 范例二:J=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT M=Visual
作 者:储清梅[1] 刘翔[1] 张鹏翔[1] 戴永年[1]
机构地区:[1]昆明理工大学真空冶金及材料研究所,云南昆明650051
出 处:《电源技术》2012年第9期1301-1302,共2页Chinese Journal of Power Sources
摘 要:用NaOH/NH4F/Na2CO3溶液体系对单晶硅(100)进行了表面织构。结果发现腐蚀所得表面沟壑纵横,沟壑间是类似金字塔的小凸起。在优化条件下,平均反射率低且不随腐蚀时间的延长而增大,可重复性好,是比较理想的碱腐蚀液。Texturization of Si(100) was investigated in NaOH/NH4F/Na2CO3 system. The grooves were everywhere on the wafer surface and pyramid-like hillocks were formed among grooves after etching. In optimum experimental conditions, the average reflectance was low and didn't increase with etch time. Moreover, the repeatability was welt. It should be a favorable alkaline etching solution.
关 键 词:单晶硅 腐蚀 表面织构 NaOH/NH4F/Na2CO3溶液
分 类 号:TM914.4[电气工程—电力电子与电力传动]
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