低In电解液电沉积制备CuInSe2吸收层  

The electrodeposition of CuInSe_2 adsorb layers in low In ions electrolytes

作　　者：胡飞[1] 陈镜昌[2] 付梦乾[1] 文思逸[1] 胡跃辉[1] 

机构地区：[1]景德镇陶瓷学院材料科学与工程学院,江西省先进陶瓷材料重点实验室,江西景德镇333001 [2]香港理工大学工业系统工程学系,中国香港999077

出　　处：《功能材料》2012年第B08期94-96,100,共4页Journal of Functional Materials

基　　金：留学人员科技活动项目择优资助项目([2011]474);江西省青年科学家(井冈之星)培养对象计划资助项目(20112BCB23022);江西省自然科学基金资助项目(2010GQC0108);江西省教育厅科技资助项目(GJJ12496)

摘　　要：通过线性电位扫描分析了低In电解液中的阴极电化学反应,结果表明柠檬酸钠可以降低Cu2+的活性,而H2SeO3的加入可导致阴极上Se元素与Cu2+和In3+发生复杂的协同反应。低In电解液中恒电位沉积的薄膜与CIS的化学计量比相差较大,分段电位的恒电位沉积得到的薄膜更接近于CuInSe2(CIS)化学计量比。薄膜在N2气氛上退火处理,得到了黄铜矿结构CIS薄膜,禁带宽度为1.06eV。The cathodic electrodeposition behavior were mvesugateu uy ~_ . v_ that the addition of sodium citrate could decrease the reduction current of Cu2＋ , and the addition of H2SeO3 has assimilation effect for the reduction of Cu2＋ and In3＋. The one-step potentiostatic electrodeposited CIS thin films have great deviation from the ideal stoiehiometric ratio of 1 ： 1 ： 2, and two-step electrodeposition has shown a near-toiehiometric ratio. After annealing in nitrogen atmosphere, the CuInSe2 （CIS） thin films have shown chalcopyrite slructure with band gap of 1.06eV.

关 键 词：线性电位扫描 铜铟硒(CIS)薄膜 分段电沉积 柠檬酸钠 

分 类 号：TQ153.3[化学工程—电化学工业]